在厨房拨开内裤进入毛片,无码免费一区二区三区,无码一区二区波多野结衣播放搜索,欧美亚洲一区二区三区

歡迎蒞臨廣州譜源氣體有限公司
     

    氣體知識(shí)

    您現(xiàn)在的位置：首頁(yè)->氣體知識(shí)->

    氘氣D2-光纖氘處理過(guò)程

    2011-11-4 9:33:02

    0
      光纖在拉制過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一些無(wú)序的Si-O自由基團(tuán)，極易和H生成Si - OH，造成1385nm處的水峰增加。因此各種全波光纖拉完絲后都要經(jīng)過(guò)氘處理，才能夠經(jīng)受得住長(zhǎng)時(shí)間的含氫環(huán)境的侵蝕。
     
      氘處理的原理是讓氘和Si-O自由基團(tuán)形成Si-OD，吸收峰在1850nm，這樣在光纖的整個(gè)壽命期間，氫就無(wú)法取代氘的位置。氘和Si-0自由基團(tuán)的反應(yīng)如下：
     
                                              Si-O + D2 → Si-OD
     
      按照ITU-T G.652C/D的要求，光纖在經(jīng)過(guò)氫老化后光纖的1383±3nm處的衰減系數(shù)要不低于1310nm處的衰減，才能稱作全波光纖。
    相關(guān)產(chǎn)品
     
     
    廣州市譜源氣體有限公司    粵ICP備08114730號(hào)
    地址：廣州市增城新塘西洲大王崗工業(yè)區(qū)
    全國(guó)熱線電話：19876107228
    公司電話：19876107228
    公司傳真：020-82797482
    聯(lián)系郵箱：market@51qiti.com
    譜源氣體二維碼
    TOP